三星电子HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%，半导体ETF国联安(512480)跟踪指数涨超2%

界面 2026-11-13 10:04（1小时前）

⏎ 返回 ⭢阅读原文

科创芯片设计ETF国联安(588780)涨2.03%，跟踪上证科创板芯片设计主题指数；半导体ETF国联安(512480)涨2.04%，为全市场唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF。